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功率器件


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华瑞微HRmicro 华瑞微HRmicro HV-Planar-DMOS LV-Trench-DMOS 超结MOS SGT-MOS 高压MOS 低压MOS管 华瑞微推出HV Planar DMOS、LV Trench DMOS、超结MOS、SGT MOS等 999999 0.1
WG601 WG601 WG601 1N65 MOS管 650V 1A N沟道 SOT23-3 1N65 Low Intrinsic Capacitances.□ Excellent Switching Characteristics.□ Extended Safe OperatingArea.□ Unrivalled Gate Char... 99999+ 0.21
3N10 3N10 AP3N10BI MOS管 N沟道 100V3A SOT-23 MA4 AP3N10BI采用先进的沟槽技术,可提供出色的Ros(oN)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压,适合用作电池保护或其它开关应用。N沟道 耐... 99999+ 0.11
ME3碳化硅模块 ME3碳化硅模块 ASC600N1200ME3 ASC600N1200ME3F ASC500N1200ME3 ASC400N1200ME3 ASC400N1200ME3F ASC300N1200ME3 ASC300N1200ME3F ASR6N1200ME3 ASR8N1200ME3 ASC200N1200ME3F ASC200N1200ME3H ASR9N1200ME3 ASC600N1700ME3 ASC400 62mm碳化硅模块 1700V,1200V SiC模块 1. 采用全焊片工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷; 2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗; 3. 适用高温、高频应用。 9999+ 电询
ME2碳化硅模块 ME2碳化硅模块 ASC300N1200ME2 ASC200N1200ME2 ASC200N1200ME2F ASC200N1200ME2H ASR12N1200ME2 ASR23N1200ME2 ASR23N1200ME2F ASC300N1700ME2 ASC200N1700ME2 ASC100N1700ME2 34mm碳化硅模块 1700V,1200V SiC模块 ASC300N1200ME2 ASC200N1200ME2 ASC200N1200ME2F ASC200N1200ME2H ASR12N1200ME2 ASR23N1200ME2 ASR23N1200ME2F ASC300N1700ME2 ... 9999+ 电询
ASC50N3300MT4 ASC50N3300MT4 ASC50N3300MT4 ASC20N3300MT4 3300V 国产SiC碳化硅MOS管 车规级 60A 20A ASC50N3300MT4,ASC20N3300MT4 99999+ 电询
ASR320N650MD ASR320N650MD ASR320N650MD56 ASR320N650MD88 国产SiC碳化硅MOS管 650V 8A 车规级 PDFN ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASR90N650MD88PB ASR90N650MD88PB ASR90N650MD88PB 国产SiC碳化硅MOS管 650V 25A 车规级 PDFN8*8 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASC30N650 ASC30N650 ASC30N650MF3 ASC30N650MT3 ASC30N650MT4 ASC30N650MT4PB ASR60N650MD88 国产SiC碳化硅MOS管 650V 30A 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASC60N650 ASC60N650 ASC60N650MT3 ASC60N650MT4 ASC60N650MT7 ASR35N650MD02 ASR35N650MD88 国产SiC碳化硅MOS管 650V 60A 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASR12N650MD02 ASR12N650MD02 ASR12N650MD02 国产SiC碳化硅MOS管 650V 100A TOLL 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
ASC100N650 ASC100N650 ASC100N650MT3 ASC100N650MT4 ASC100N650MT4PB 国产SiC碳化硅MOS管 650V 100A TO-247 车规级 ​碳化硅(SiC) MOSFET使用一种全新技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 99999+ 电询
M4643 M4643 4643 替代LTM4643 纯国产兼容4643 输出电压范围为0.6V~5.5V,可提供四路3A电流,四通道并联使用时。应用于工业设备、存储和ATCA卡、通信及计算机技术、FPGA、DSP和... 99999+ 面议
M4622 M4622 4622 替代LTM4622 纯国产兼容4622 双路2.5A 电流,双通道并联使用时,可提供单路5A 电流。应用于工业设备、存储和ATCA卡、通信及计算机技术、FPGA、DSP和ASIC 99999+ 面议
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